Мощный GaN-усилитель X-диапазона
Разработали усилитель мощности для радиолокационных систем. Оптимизировали коэффициент полезного действия и выходную мощность при ограниченном теплоотводе.
Разработка МИС СВЧ под ТЗ заказчикаТехнологии GaAs и GaN
Проектируем монолитные интегральные схемы на полупроводниках GaAs и GaN под архитектуру вашего изделия. Передаём проверенную топологию и измерения кристаллов.
Проектируем монолитные схемы под требования вашей аппаратуры. Уменьшаем габариты СВЧ-тракта и повышаем надежность.
Формируем минимальный коэффициент шума в заданном частотном диапазоне.
Оптимизируем выходную мощность и КПД для передающих трактов.
Обеспечиваем преобразование частот с высоким уровнем развязки портов.
Проектируем узлы фазовой и амплитудной модуляции СВЧ-сигнала.
Снижаем уровень фазовых шумов и расширяем диапазон перестройки.
Обеспечиваем высокое быстродействие и низкие вносимые потери.
Защищаем чувствительные входные каскады от импульсных перегрузок.
Объединяем фазовращатели, аттенюаторы и цифровые блоки управления.
Проектируем многокомпонентные системы на одном кристалле под задачу.
Проектирование уникальных топологий вне базового перечня — по запросу.
Отправить ТЗМоделируем параметры схем в индустриальном софте до отправки топологии на фабрику. Это исключает переделки и гарантирует попадание в частотный диапазон.
схемотехническое и топологическое моделирование
электродинамический расчёт трехмерных СВЧ-структур
GaAs pHEMT, GaAs HBT, GaN, GaN on Si
Адаптируем проект под требования выбранного foundry-завода и спецификации заказчика.
Разрабатываем схемы по вашему техническому заданию. Проводим сквозную верификацию до заказа фотошаблонов.
Анализ ТЗ и выбор технологии: подбираем полупроводниковый процесс GaAs или GaN под частоту и мощность.
Схемотехника и моделирование: рассчитываем электродинамические характеристики в Cadence и ADS.
Топологическая трассировка: компонуем элементы на кристалле и оптимизируем площадь.
Сквозная верификация: проверяем правила DRC и LVS, исключаем перекрёстные помехи.
Передача результатов: передаём комплект GDSII-файлов и измерительные протоколы.
Проектируем микросхемы для радиолокации, спутниковой связи и бортовой аппаратуры.
Разработали усилитель мощности для радиолокационных систем. Оптимизировали коэффициент полезного действия и выходную мощность при ограниченном теплоотводе.
Спроектировали LNA для приемных трактов спутниковой связи. Добились минимального коэффициента шума в широкой полосе частот.
Объединили на одном кристалле 6-битный фазовращатель, цифровой аттенюатор и усилительные каскады с блоком управления.
Фиксируем юридическую и финансовую ответственность в договоре разработки.
подписываем соглашение о неразглашении до передачи материалов
передаём все исключительные права на топологию заказчику
разделяем бюджет R&D на этапы с приёмкой результатов
Разработчики радиоэлектронной аппаратуры оценивают точность моделей и соблюдение сроков R&D.
Заказывали разработку малошумящего усилителя C-диапазона на GaAs. Инженеры дизайн-центра точно совпали с моделью: натурные измерения кристалла повторили расчёты в Keysight ADS. Соглашение NDA соблюдают строго.
Виктор Семенов, главный конструктор НИИ Радиосвязи, Москва
Разрабатывали CoreChip для приёмо-передающих модулей. Команда предложила структуру на GaN, благодаря чему мы сократили площадь платы в три раза. Все этапы R&D закрыли по графику.
Сергей Воронов, начальник ОКБ микроэлектроники, Санкт-Петербург
Передали ТЗ на смеситель и переключатель X-диапазона. Получили проверенные GDSII-файлы и отчеты DRC/LVS. Измерения на пластине подтвердили параметры.
Михаил Еремин, технический директор НПО СВЧ-систем, Екатеринбург
Оценим выполнимость проекта, предложим полупроводниковую технологию и рассчитаем сроки проектирования.
Если ТЗ ещё не сформировано, запросите экспресс-оценку выполнимости без передачи коммерческой тайны.
Прикрепите техническое задание или укажите основные параметры: частотный диапазон, выходную мощность и уровень шума.
Оставьте заявку